MOS FET繼電器的構(gòu)成和動(dòng)作原理：

MOS FET繼電器即光耦繼電器，MOS FET全稱Metal-Oxide Field-Effect Transistor，其中M: Metal---金屬，O: Oxide---氧化物，S: Semiconductor---半導(dǎo)體，F(xiàn): Field---場,E: Effect---效應(yīng),T: Transistor---晶體管，代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它的內(nèi)部由3個(gè)芯片構(gòu)成，LED芯片+PDA芯片（光電二極管陣列）+MOS FET芯片共同組成，工作原理是通過LED發(fā)光--PDA發(fā)電--MOSFET開關(guān)，這三個(gè)過程相結(jié)合實(shí)現(xiàn)繼電器 的功能。

MOS FET繼電器是在輸出元件中使用功率MOS FET的SSR。為使功率MOS FET動(dòng)作， 光電二極管陣列作為受光元件使用。輸入端子中有電流流過時(shí)， LED會(huì)發(fā)光。這個(gè)光使光電二極管陣列中發(fā)生光電流， 這使柵極電壓使功率MOS FET置于ON。用源共通連接2個(gè)功率MOS FET， 可控制AC負(fù)載。DC專用的類型中有帶1個(gè)電源 MOS FET的類型。