半導體設備由于使用的頻率較高，并要求有一定的線性度，在使用機械式繼電器的時候容易受壽命的影響，同時由于晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器的輸出側單元所具線性度較低，所以在輸出之間通過的信號會發生失真；

MOS FET繼電器與晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器不同，可通過與機械式繼電器相匹配的超群線性度特性，有效抑制信號的失真；可控制模擬信號，所以最適用于測試器、測量設備等，因此，MOS FET繼電器可以完美的配合機械式繼電器使用，也可以替代傳統的光耦和可控硅產品；     

MOS FET繼電器，輸出切換電流不會受到輸入電流的影響；

MOS FET繼電器通過極小電流即可運行，可為設備的節電作貢獻，在達到使用壽命后，輸出電流不會像晶體管耦合器那樣下降，穩定的低電流有助于節能；

晶體管耦合器在增大輸入側電流時，輸出側電流也會變大，所以與MOS FET繼電器相比，會消耗更多的電力。LED老化會使輸出也跟隨減弱，由此需要更多的電力；

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